大工23秋《模擬電子技術(shù)》在線作業(yè)1

共20道題 總分：100分

一、單選題(共10題，50分)

1.測得晶體管三個電極對地的電壓分別為-2V、-8V、-2.2V,則該管為()。

A、NPN型鍺管

B、PNP型鍺管

C、PNP型硅管

D、NPN型硅管

2.反向飽和電流越小,晶體管的穩(wěn)定性能()。

A、越好

B、越差

C、無變化

D、不確定

3.在摻雜半導體中,少子的濃度受()的影響很大。

A、溫度

B、摻雜工藝

C、雜質(zhì)濃度

D、晶體缺陷

4.在共射、共集和共基三種基本放大電路中,輸出電阻最小的是()放大電路。

A、共射極

B、共集電極

C、共基極

D、不確定

5.在共集電極放大電路中,若輸入電壓為正弦波形,則輸入輸出電壓相位()。

A、同相

B、反相

C、相差90°

D、不確定

6.在由NPN型BJT組成的單管共發(fā)射極放大電路中,如靜態(tài)工作點過高,容易產(chǎn)生()。

A、飽和失真

B、截止失真

C、交越失真

D、線性失真

7.對PNP型晶體管來說,當其工作于放大狀態(tài)時,()極的電位最低。

A、發(fā)射極

B、基極

C、集電極

D、不確定

8.測得晶體管三個電極對地的電壓分別為2V、6V、2.2V,則該管()。

A、處于飽和狀態(tài)

B、處于放大狀態(tài)

C、處于截止狀態(tài)

D、已損壞

9.當溫度升高時,三極管的電流放大系數(shù)β將()。

A、增大

B、減小

C、不變

D、不確定

10.晶體管能夠放大的外部條件是()。

A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

B、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

C、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

D、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

二、判斷題(共10題，50分)

1.共集電極放大電路又稱為射極輸出器、電壓跟隨器。

A、對

B、錯

2.二極管是非線性器件。

A、對

B、錯

3.與鍺晶體管相比,硅晶體管的溫度穩(wěn)定性能高。

A、對

B、錯

4.N型半導體帶正電。

A、對

B、錯

5.射極輸出器無放大功率的能力。

A、對

B、錯

6.PN結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將變寬。

A、對

B、錯

7.二極管加正向電壓截止,加反向電壓導通。

A、對

B、錯

8.直接耦合方式的缺點是輸出溫度漂移嚴重。

A、對

B、錯

9.當環(huán)境溫度升高時,二極管的正向電壓將降低。

A、對

B、錯

10.半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間。

A、對

B、錯

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