大工2211批次《高電壓技術(shù)》在線作業(yè)1-00001

試卷總分:100  得分:100

一、單選題 (共 10 道試題,共 50 分)

1.當(dāng)氣體成分和電極材料一定時(shí),氣體間隙擊穿電壓是()的函數(shù)。

A.氣壓和間隙距離乘積

B.氣壓和間隙距離比值

C.溫度和間隙距離乘積

D.氣壓和間隙距離之和

2.下列說法正確的是()。

A.在電場的作用下，由電介質(zhì)組成的絕緣間隙喪失絕緣性能形成導(dǎo)電通道的現(xiàn)象稱為擊穿

B.擊穿電壓是指使絕緣擊穿的最高臨界電壓

C.發(fā)生擊穿時(shí)在絕緣中的最大平均電場強(qiáng)度叫做擊穿場強(qiáng)

D.以上說法都正確

3.當(dāng)氣體分子受到光輻射作用時(shí),如果光的能量大于氣體原子的電離能時(shí),就有可能引起()。

A.表面電離

B.光電離

C.熱電離

D.碰撞電離

4.下列屬于極不均勻電場特性的是()。

A.極不均勻電場的擊穿電壓比均勻電場低

B.極不均勻電場如果是不對(duì)稱電極，則放電有極性效應(yīng)

C.極不均勻電場具有特殊的放電形式電暈放電

D.以上選項(xiàng)都屬于

5.下列關(guān)于湯遜理論說法不正確的是()。

A.湯遜理論認(rèn)為自持放電是氣體間隙擊穿的必要條件

B.湯遜理論認(rèn)為電子空間碰撞電離是電離主要因素

C.湯遜理論認(rèn)為負(fù)離子碰撞陽極產(chǎn)生的表面電離是電離主要因素

D.湯遜理論適用于低氣壓短間隙

6.每個(gè)碰撞陰極的正離子,使陰極金屬表面平均釋放出的自由電子數(shù)稱為()。

A.α系數(shù)

B.β系數(shù)

C.γ系數(shù)

D.μ系數(shù)

7.下列關(guān)于流注理論說法不正確的是()。

A.流注理論考慮了空間電離對(duì)電場的影響

B.流注理論考慮了空間光電離作用的影響

C.流注理論認(rèn)為二次電子的主要來源是表面電離

D.形成流注后，放電就可以由本身產(chǎn)生的空間光電離自行維持

8.湯遜理論的適用范圍是()。

A.低氣壓長間隙

B.高氣壓短間隙

C.高氣壓長間隙

D.低氣壓短間隙

9.發(fā)生()時(shí)只產(chǎn)生電子,沒有正離子出現(xiàn)。

A.表面電離

B.光電離

C.熱電離

D.碰撞電離

10.()是極不均勻電場具有的特殊放電形式。

A.電暈放電

B.火花放電

C.沿面放電

D.閃絡(luò)

二、判斷題 (共 10 道試題,共 50 分)

11.當(dāng)氣體成分和電極材料一定時(shí),氣體間隙的擊穿電壓隨距離增大而增大。

12.表面電離是氣體產(chǎn)生帶電粒子的最重要形式。

13.要維持自持放電,需新產(chǎn)生的電子數(shù)少于初始撞擊用的電子數(shù)。

14.在其他大氣條件不變的情況下,氣壓增大時(shí),間隙的擊穿電壓降低。

15.當(dāng)氣體成分和電極材料一定時(shí),氣體間隙擊穿電壓是氣壓和間隙距離乘積的函數(shù)。

16.光電離是氣體產(chǎn)生帶電粒子的最重要形式。

17.采用強(qiáng)電負(fù)性氣體,利用其對(duì)電子的強(qiáng)附著效應(yīng)可以減弱碰撞電離過程。

18.流注理論認(rèn)為電子碰撞電離和空間光電離是維持自持放電的主要因素。

19.稍不均勻電場一旦出現(xiàn)局部放電,會(huì)立即導(dǎo)致整個(gè)間隙的完全擊穿。

20.湯遜理論和流注理論可以互相替代。

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