《現(xiàn)代電力電子及變流技術(shù)》在線平時(shí)作業(yè)3-00001

試卷總分:100  得分:100

一、單選題 (共 10 道試題,共 50 分)

1.晶閘管的額定電壓是（   ）。

A.斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

B.反向重復(fù)峰值電壓

C.A和B中較大者

D.A和B中較小者

2.三相半波可控整流電路一共有（    ）只晶閘管。

A.1

B.2

C.3

D.4

3.兩組晶閘管反并聯(lián)電路，一共有（     ）。

A.兩種工作狀態(tài)

B.三種工作狀態(tài)

C.四種工作狀態(tài)

D.以上各種狀態(tài)

4.根據(jù)對(duì)輸出電壓平均值進(jìn)行調(diào)制的方式不同，斬波電路可有三種控制方式。

A.電流調(diào)制。電壓調(diào)制。功率調(diào)制。

B.高阻抗調(diào)制。低阻抗調(diào)制。無(wú)源調(diào)制。

C.脈沖寬度調(diào)制（PWM）：T不變，改變ton。脈沖頻率調(diào)制：ton不變，改變T。混合調(diào)制：ton和T都可調(diào)，改變占空比。

D.正弦波調(diào)制。三角波調(diào)制。鋸齒波調(diào)制。

5.單相橋式全控整流電路一共有（    ）只晶閘管。

A.1

B.2

C.3

D.4

6.單相全波可控整流電路一共有（    ）只晶閘管。

A.1

B.2

C.3

D.4

7.三相半波可控整流電路，變壓器副側(cè)繞組的電流有效值I2是（    ）。

A.{圖}

B.{圖}

C.{圖}

D.{圖}

8.全控型電力電子器件有（    ）。

A.Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT

B.P-MOSFET、IGBT、GTR、GTO

C.SITH、MCT、Thyristor、GTO

D.IGCT、GTO、TRIAC、IPM

9.電流可逆斬波電路是

A.將整流電路與逆變電路組合在一起。

B.將降壓斬波電路與升壓斬波電路組合在一起。

C.將半波電路與橋式電路組合在一起。

D.將多重電路組合在一起。

10.場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極分別為(                         )。

A.發(fā)射極，基極，集電極；

B.第一基極，發(fā)射極，第二基極；

C.源極，柵極，漏極；

D.陰極，門極，陽(yáng)極。

二、判斷題 (共 10 道試題,共 50 分)

11.大電感負(fù)載變流電路， {圖}時(shí)，電路處于逆變狀態(tài)。

12.降壓式直流斬波器，輸入電流連續(xù)，輸出電流連續(xù)。

13.IGBT是電壓控制型器件。

14.單相橋式半控整流電路，最大移相范圍是150°。

15.交流調(diào)壓是將一種幅值的交流電轉(zhuǎn)化為不同頻率的另一種幅值的交流電。

16.電流型交-直-交變頻器給異步電動(dòng)機(jī)供電時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)回饋制動(dòng)。

17.共陽(yáng)極組變流電路，逆變電壓正半波大于負(fù)半波。

18.三相橋式半控整流電路，電阻性負(fù)載，最大移相范圍是150°。

19.在規(guī)定條件下，由門極觸發(fā)晶閘管使其導(dǎo)通晶閘管能夠承受而不至損壞的通態(tài)電流最大上升率稱為通態(tài)電流臨界上升率di/dt。

20.單相橋式全控整流電路晶閘管承受的最大反向電壓是{圖} 。