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大工19秋《電力電子技術(shù)》在線作業(yè)1
試卷總分:100    得分:100
第1題,使電力MOSFET導(dǎo)通的柵源驅(qū)動(dòng)電壓一般取（  ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
正確答案:


第2題,靜電感應(yīng)晶體管的英文縮寫是（  ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
正確答案:


第3題,整流二極管多用于開關(guān)頻率在（  ）Hz以下的整流電路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
正確答案:


第4題,（  ）指的是電力二極管所能承受的最大的連續(xù)一個(gè)或幾個(gè)工頻周期的過電流。
A、正向平均電流
B、反向重復(fù)峰值電流
C、額定電流
D、浪涌電流
正確答案:


第5題,（  ）的英文縮寫是GTR。
A、電力二極管
B、門極可關(guān)斷晶閘管
C、電力晶體管
D、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管
正確答案:


第6題,電力電子器件采用的主要材料是（  ）。
A、鐵
B、鋼
C、銀
D、硅
正確答案:


第7題,電壓驅(qū)動(dòng)型與電流驅(qū)動(dòng)型電路相比，（  ）。
A、前者較簡(jiǎn)單
B、后者較簡(jiǎn)單
C、前者需要的驅(qū)動(dòng)功率小
D、后者需要的驅(qū)動(dòng)功率小
正確答案:,C


第8題,導(dǎo)通緩沖電路，（  ）。
A、可以用于吸收器件導(dǎo)通時(shí)的電流過沖和di/dt
B、可以用于抑制器件導(dǎo)通時(shí)的電流過沖和di/dt
C、可以減小器件的關(guān)斷損耗
D、可以減小器件的導(dǎo)通損耗
正確答案:,D


第9題,下列是常用的過電流保護(hù)措施的是（  ）。
A、快速熔斷器
B、直流快速斷路器
C、過電流繼電器
D、以上都不正確
正確答案:,B,C


第10題,電力電子器件是處理電能主電路的主要器件，普遍具有（  ）等特點(diǎn)。
A、耐壓低
B、耐壓高
C、工作電流小
D、工作電流大
正確答案:,D


第11題,GTR的主要參數(shù)有（  ）。
A、電流放大系數(shù)
B、最高工作電壓
C、集電極最大允許電流
D、集電極最大耗散功率
正確答案:,B,C,D


第12題,當(dāng)器件導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，串聯(lián)使用的器件的（ ）和（ ）存在差異，這種差異引起的不均壓?jiǎn)栴}稱為動(dòng)態(tài)不均壓?jiǎn)栴}。
A、靜態(tài)參數(shù)
B、動(dòng)態(tài)參數(shù)
C、特性
D、指標(biāo)
正確答案:,C


第13題,電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使得電力二極管在正向電流較大時(shí)管壓降較高。
A、錯(cuò)誤
B、正確
正確答案:


第14題,緩沖電路并不指的是吸收電路。
A、錯(cuò)誤
B、正確
正確答案:


第15題,阻容吸收電路由電容和電阻串聯(lián)而成，電阻具有儲(chǔ)能作用。
A、錯(cuò)誤
B、正確
正確答案:


第16題,集成門極換流晶閘管的英文縮寫是IGCT。
A、錯(cuò)誤
B、正確
正確答案:


第17題,電力MOSFET不具備靜態(tài)特性
A、錯(cuò)誤
B、正確
正確答案:


第18題,半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。
A、錯(cuò)誤
B、正確
正確答案:


第19題,變流技術(shù)是電力電子技術(shù)的核心。
A、錯(cuò)誤
B、正確
正確答案:


第20題,維持電流指使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流。
A、錯(cuò)誤
B、正確
正確答案: